Пятница, 17.05.2024, 05:55
Меню сайта
Разделы новостей
видеоуроки фотошоп [1873]
рамки для фото [7527]
фигуры для фотошоп [15]
PSD исходники [1446]
стили для фотошоп [64]
кисти для фотошоп [143]
градиенты [34]
Actions for photoshop/готовые действия [30]
plugins for photoshop [10]
шаблоны для фотошопа мужские [1154]
шаблоны для фотошопа детские [487]
шаблоны для фотошопа парные [112]
шаблоны для фотошопа шуточные [8]
шаблоны для фотошопа женские [1237]
текстуры [258]
фоны [818]
шрифты [48]
клипарт растровый [2214]
клипарт векторный [113]
скрап наборы [1904]
обои / wallpapers [171]
рисунки, открытки [50]
книги, журналы [185]
софт [66]
разное [2464]
Наш опрос
На какой файлообменник лучше заливать файлы
Всего ответов: 5539
Счетчик

Главная » 2015 » Декабрь » 3 » Sentaurus TCAD 2012 SP2 G-2012.06 SP2 на VMWare
Sentaurus TCAD 2012 SP2 G-2012.06 SP2 на VMWare
01:46
Добавил: hottei83 (03.12.2015)

Synopsys Sentaurus TCAD - профессиональный софт для моделирования полупроводниковых приборов и создания техпроцессов их изготовления. Sentaurus TCAD позволяет создавать конструкцию микро- и нано- электронных приборов, наподобие транзисторов, путем разработки технологических процессов их изготовления.


Можно задавать топологию устройства, создавать отдельные этапы его производства - выращивание окислов SiO2 и других, более современных силицидов, нанесение поликремния и нитрида кремния, ионную имплантацию и диффузию примесей, создание гетероструктур, отжиг, нанесение металлизации, травление, фотолитография и т.д. Потом созданный процесс можно промоделировать и увидеть постепенное формирование необходимой структуры устройства (например, транзистора). Можно создать необходимую структуру в редакторе, задав реальные профили распределения примесей для разных областей. Далее можно с помощью моделирования определить концентрацию любой примеси и материала, а также распределения заряда, потенциала и электрического поля, концентраций подвижных носителей заряда и т.д. в любой точке полученной структуры, рассчитать паразитные емкости/индуктивности, провести анализ для постоянного и малого переменного сигнала. Результаты красиво выводятся в виде графиков и 3D моделей. Также можно получить вольт-амперные характеристики разработанного устройства и синтезировать его SPICE модель для последующей симуляции на более высоком уровне, нежели метод конечных элементов. Возможен импорт и экспорт топологии разработанных устройств в формате GDS II для использования в программах проектирования микросхем.

Также архив содержит библиотеку Applications Library с примерами моделей различных полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, в т.ч. FinFET, свето- и лазерных диодов, фотоэлементов, оптических сенсоров).

Доп. информация:


Название: Sentaurus TCAD 2012 SP2 G-2012.06 SP2 на VMWare
Год: 2012
Разработчик: Synopsys
Версия: G-2012.06 SP2
Системные требования:
Процессор Core2Duo или выше, 20 Гб места на диске, 2 Гб оперативки
Разрядность: 32bit
Язык: English / Английский
Лекарство: Присутствует
Размер: 10,2 Гb


Просмотров: 175 | | (голосов:0)
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Форма входа
Привет: Гость


Мы рады вас видеть. Пожалуйста зарегистрируйтесь или авторизуйтесь!
Логин:
Пароль:

Календарь новостей
«  Декабрь 2015  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031

Наша Кнопка


код кнопки:

Друзья сайта
Все для фотошопа - All For Photoshop © 2008 - 2024 |